سمینار تئوری تکنولوژی نیمه هادی ها (اکسیداسیون)
سمینار قابل ارائه در کارشناسی ارشد در مورد درس تئوری تکنولوژی نیمه هادی ها قسمت اکسیداسیون می باشد .
این فایل همچنین نمای تمامی قسمت های مرحله ساخت ادوات نیمه هادی (قسمت اکسیداسیون) را به ما می دهد .
کاربردهای متداول اکسیداسیون
1- استفاده از اکسید به عنوان ماسک
2- حفاظت از سطح ویفر در مقابل خراشیدگی
3- جداکردن المان های نیمه هادی از یکدیگر
4- بعنوان جزئی از ساختمان ماسفت ها
5- جداکردن چند لایه فلزی یا چند بلور سیلیکن از یکدیگر
تعداد مشاهده: 1291 مشاهده
فرمت فایل دانلودی:.rar
فرمت فایل اصلی: ppt
تعداد صفحات: 29
حجم فایل:1,274 کیلوبایت
-
راهنمای استفاده:
فایل زیپ را اکسترکت کرده و از پاور پوینت استفاده کنید .
-
محتوای فایل دانلودی:
فایل زیپ شامل سمینار اکسیداسیون به صورت پاور پوینت
سمینار تئوری تکنولوژی نیمه هادی ها (فلزکاری)
فلزکاری:
آخرین مرحله ای که روی ویفر انجام می شود تا بعد از آن وارد بسته بندی شود را فلزکاری گویند که طی آن اتصال پایه ها و بلوک ها صورت می پذیرد.
سطوح فلزکاری:
1- محلی: پایین ترین سطح فلز کاری است و ارتباط داخل بلوک هاست.
2-کلی : ارتباط بین بلوک ها و برای ایجاد تغذیه -زمین –کلاک مدار کاربرد دارد و معمولا ضخیم تر از لایه های محلی هستند.
مراحل فلزکاری محلی:
1. برداشت اکسید از روی ناحیه هایی که به خطوط ارتباطی متصل هستند.
2. لایه ای از فلز را که معمولا آلومینیوم(AL) روی کل سطح ویفر می نشانیم.
3. فلز را از مناطقی که مطلوبمان نیست پاک می کنیم(به وسیله لیتوگرافی و زدایش خشک)
مراحل فلز کاری کلی:
1.نشاندن لایه ای از دی الکتریک(Sio2)
2.مسطح سازی سطح با روش CMP
3.پهن کردن ماده ی حساس به نور برای تعریف سوراخهای اتصال
4.قرار دادن فلز درون پنجره های اکسید وایجاد ارتباط بین دو لایه(via)
5. استفاده از CMPجهت مسطح سازی قرص
6.نشاندن آلومینیوم بر روی قرص
7.گامهای بعدی جهت ایجاد سطح دوم خطوط ارتباطی
تعداد مشاهده: 182 مشاهده
فرمت فایل دانلودی:.rar
فرمت فایل اصلی: power point
تعداد صفحات: 30
حجم فایل:4,053 کیلوبایت
-
راهنمای استفاده:
فایل زیپ را اکسترکت کرده و از پاور پوینت استفاده کنید .
-
محتوای فایل دانلودی:
فایل زیپ شامل سمینار اکسیداسیون به صورت پاور پوینت
سمینار تئوری تکنولوژی نیمه هادی ها (نفوذ ناخالصی )
سمینار قابل ارائه در کارشناسی ارشد در مورد درس تئوری تکنولوژی نیمه هادی ها قسمت نفوذ یا دیفیوژن می باشد .
این فایل همچنین نمای تمامی قسمت های مرحله ساخت ادوات نیمه هادی (قسمت نفوذ ناخالصی) را به ما می دهد .
مرحله های دیگر ساخت نیمه هادی در این سایت موجود می باشد.
قسمتی از متن پاورپوینت :
فرایند نفوذ دارای دو مرحله می باشد.
1.نشست اولیه
هدف از نشست اولیه قرار دادن تعداد مشخصی از اتم های ناخالصی درسطح نیمه هادی است
2.نفوذ ثانویه(نفوذ عمیق)
در مرحله نشست اولیه تراکم سطحی بالا بوده و عمق نفوذ نیز خیلی کم بوده
کاهی اوقات درعمل لازم است عمق نفوذ بیشتر شده وتراکم سطحی کمترازقابلیت حل جامدات باشد
برای رسیدن به این هدف بعد ار نشست اولیه،مرحله نفوذ ثانویه انجام می شود
تعداد مشاهده: 789 مشاهده
فرمت فایل دانلودی:.rar
فرمت فایل اصلی: ppt
تعداد صفحات: 28
حجم فایل:8,536 کیلوبایت
-
راهنمای استفاده:
فایل زیپ را اکسترکت کرده و از پاور پوینت استفاده کنید .
-
محتوای فایل دانلودی:
فایل زیپ شامل سمینار نفوذ به صورت پاور پوینت
سمینار تئوری تکنولوژی نیمه هادی ها (ساخت مسفت mesfet)
سمینار قابل ارائه در کارشناسی ارشد در مورد درس تئوری تکنولوژی نیمه هادی ها قسمت ساخت مسفت می باشد .
این فایل همچنین نمای تمامی قسمت های مرحله ساخت ادوات نیمه هادی (قسمت ساخت مسفت ) را به ما می دهد .
مسفت:
از جمله ترانزیستورهای اثرمیدانی فلز نیمه هادی می باشدکه به دلیل خواص منحصر بفردش از جمله سادگی ساخت ،مشخصه سیگنال به نویز خوب و فرکانس کار بالا یکی از شاخص ترین عناصر مخابراتی در باند مایکروویو می باشد. دقت شود که خواص سریع این ترانزیستور ها به کمک انتخاب ماده مناسب کنترل دقیق ابعاد مهم قطعه و حداقل کردان اثرات طفیلی بدست می آید.
تعداد مشاهده: 902 مشاهده
فرمت فایل دانلودی:.rar
فرمت فایل اصلی: ppt
تعداد صفحات: 14
حجم فایل:1,169 کیلوبایت
-
راهنمای استفاده:
فایل زیپ را اکسترکت کرده و از پاور پوینت استفاده کنید .
-
محتوای فایل دانلودی:
فایل زیپ شامل سمینار ساخت مسفت به صورت پاور پوینت
سمینار تئوری تکنولوژی نیمه هادی ها (ساخت ماسفت mosfet)
سمینار قابل ارائه در کارشناسی ارشد در مورد درس تئوری تکنولوژی نیمه هادی ها قسمت ساخت ماسفت می باشد .
این فایل همچنین نمای تمامی قسمت های مرحله ساخت ادوات نیمه هادی (قسمت ساخت ماسفت ) را به ما می دهد .
کلمه ترانزیستور از دو کلمه ترانس (انتقال) ورزیستور(مقاومت)ساخته شده است وقطعه ای است که از طریق انتقال مقاومت به خروجی باعث تقویت توان میشود.
ترانزیستور اثر میدان، دسته‌ای ازترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان در آن‌ها توسط یک میدان الکتریکی صورت می‌گیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد یا حفره) در ایجاد جریان الکتریکی دخالت دارند، می‌توان آن‌ها را جزو ترانزیستورهای تک‌قطبی محسوب کرد.
تعداد مشاهده: 838 مشاهده
فرمت فایل دانلودی:.rar
فرمت فایل اصلی: ppt
تعداد صفحات: 21
حجم فایل:1,806 کیلوبایت
-
راهنمای استفاده:
فایل زیپ را اکسترکت کرده و از پاور پوینت استفاده کنید .
-
محتوای فایل دانلودی:
فایل زیپ شامل سمینار ساخت ماسفت به صورت پاور پوینت