تحقیق تحلیل مدارهای دیودی

تحقیق تحلیل مدارهای دیودی


معرفی دیودها: دیود به عنوان ساده ترین اختراع غیرخطی می باشد که این متن در مورد آن شرح داده است. این عنصر دارای تنوع بسیار بوده و اکثر به یک صورت مورد استفاده قرار میگیرد یا به بیانی دیگر د رتمامی شاخه های صنعت الکترونیک کاربرد دارد.
از انواع آن میتوان به دیود خلا دیود گاز، دیودهای یک سو ساز فلزی، دیودهای نیمه هادی و دیودهای تونل و ... اشاره کرد. به دیود نیمه هادی ارجعیت بیشتری می دهیم چرا که تئوری مربوط به ساخت این نوع خاص از انواع دیود مرتبط وصادق برای انواع دیگر است.
2-مشخصات مداری دیود در این بخش اموزش داده خواهد شد.
در ضمن تکنیکهای تصویری مورد تاکیدی باشند چرا که تصویر قابل رویتی از عملکرد مدار را نمایش می دهند و اطلاعاتی را عرضه می کنند که نمی توان صرفا از رفتار چیزی معمار آنها را بدست آورد.
این تکنیکهای تصویری شامل رفتار خط بار ac,dc می باشند که فراهم آورنده ی سیگنال کوچک و سیگنال بزرگ است. اگر چه این روشها معمولا در تحلیل مدارات دیودی استفاده نمی شوند اما آنها را برای قوی ومحکم ساختن مجموعه آثار ومنابع دانشجویان در این بخش معرفی کرده ایم.
وقتی ترازیستورها پیچیده می باشند مشکلات دیگر مواجه شده بسیار راحتتر خواهند بود وقتی که آنها را با دیود شبیه سازی کنیم.
1-2-خاصیت غیرخطی-دیوید ایده آل
داتشجویان معمولا تحصیل خود را با در نظر گرفتن نمونه های خطی مدار آغاز می کنند که ساده ترین آنها مقاومت می باشد. رابطه ی ولت-آمپر یعنی همان مشخصه ی vi یک مقاومت با مافوق ساده هم توضیح داده شده است که ما گاهی اوقات تفسیر نموداری آن را بررسی نمی کنیم. مشخصه ی خطی ترازیستور در شکل 1-1-2 مشخص است و مشخصه ی غیرخطی دیوید هم در اینجا به وضوح وجود دارد. وقتی ولتاژ منبع مثبت باشد جریان id هم مثبت خواهد بود.
ودیود اتصال کوتاه است و زمانی که vi منفی باشد وجریان دیوید id صفر خواهد بود و دیود اتصال باز خواهد بود می توان دیوید را به عنوان یک کلید تصور کرد که با جهت ولتاژ قابل کنترل خواهد بود. این کلید به ازای ولتاژهای مثبت بسته خواهد بود و به ازای ولتاژهای منفی کلید باز است.

تعداد مشاهده: 591 مشاهده

فرمت فایل دانلودی:

فرمت فایل اصلی: doc

تعداد صفحات: 37

حجم فایل:71 کیلوبایت

 قیمت: 7,000 تومان
پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود.   پرداخت و دریافت فایل
  • محتوای فایل دانلودی:
    حاوی فایل ورد قابل ویرایش

تحقیق تنظیم کننده های ولتاژ

تحقیق تنظیم کننده های ولتاژ


مقدمه :
در اکثر آزمایشگاههای برق از منابع تغذیه برای تغذیه مدارهای مختلف الکترونیکی آنالوگ و دیجیتال استفاده می شود . تنظیم کننده های ولتاژ در این سیستم ها نقش مهمی را برعهده دارند زیرا مقدار ولتاژ مورد نیاز برای مدارها را بدون افت و خیز و تقریباً صاف فراهم می کنند .
منابع تغذیه DC ، ولتاژ AC را ابتدا یکسو و سپس آن را از صافی می گذرانند و از طرفی دامنه ولتاژ سینوسی برق شهر نیز کاملاً صاف نبوده و با افت و خیزهایی در حدود 10 تا 20 درصد باعث تغییر ولتاژ خروجی صافی
می شود.
از قطعات مورد استفاده برای رگولاتورهای ولتاژ می توان قطعاتی از قبیل ، ترانسفورماتور ، ترانزیستور ، دیود ، دیودهای زنر ، تریستور ، یا تریاک و یا آپ امپ (op Amp) و سلف (L) و خازن (C) و یا مقاومت (R) و یا ICهای خاص را نام برد .


* عوامل موثر بر تنظیم ولتاژ :
عوامل مختلفی وجود دارند که در تنظیم ولتاژ در یک تنظیم کننده موثرند از جمله این عوامل را می توان ، تغییرات سطح ولتاژ برق ، ریپل خروجی صافیها، تغییرات دما و نیز تغییرات جریان بار را نام برد .

الف)* تغییرات ولتاژ ورودی :
در تمامی وسایل الکترونیکی و یا سیستم های الکترونیکی و مکانیکی و غیره و در تمامی شاخه های علمی طراحان برای اینکه یک وسیله یا سیستم را با سیستم های مشابه مقایسه کنند معیاری را در نظر می گیرند که این معیار در همه جا ثابت است .
در یک تنظیم کننده معیاری به نام تنظیم خط وجود دارد که میزان موفقیت یک تنظیم کننده ولتاژ در کاهش تغییرات ولتاژ ورودی را با این معیار می سنجند و به صورت زیر تعریف می کنیم :
فرمول (1ـ2)
که در آن ، تغییرات ولتاژ ورودی ، تغییرات ولتاژ خروجی ، ولتاژ خروجی متوسط (DC) می باشد .
ب)تغییرات ناشی از تغییر دما :
یکی دیگر از عاملهای تعیین کننده در یک تنظیم کننده ولتاژ خوب تغییرات ناشی از دماست .
معیاری که تغییرات نسبی ولتاژ را برحسب دما بیان می کند ضریب دمای تنظیم کننده نام دارد که آن را با T.C نشان می دهیم و بصورت زیر تعریف می شود :
(فرمول 2-2)
T.C = Temperature coefficient
در رابطه فوق ، تغییرات ولتاژ خروجی در اثر تغییرات دمای و مقدار متوسط (DC) ولتاژ خروجی است .

تعداد مشاهده: 676 مشاهده

فرمت فایل دانلودی:

فرمت فایل اصلی: doc

تعداد صفحات: 42

حجم فایل:40 کیلوبایت

 قیمت: 8,000 تومان
پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود.   پرداخت و دریافت فایل
  • محتوای فایل دانلودی:
    حاوی فایل ورد قابل ویرایش

تحقیق پیرامون تلویزیون

تحقیق پیرامون تلویزیون


مقدمه
تعریف تلویزیون
آنچه که امروزه در اصطلاح عمومی تلویزیون نامیده می شود عبارت است از انتقال پیوسته تمام معلومات قابل رویت یک میدان دید توسط امواج الکترومغناطیسی از یک نقطه به محل دیگر به نحوی که تمام تغییرات طبیعی این میدان دید حرکات تغییرات روشنایی و تاریکی از دور با احساس همزمانی و پیوستگی قابل تعقیب باشد.
ولی در واقع تلویزیون هنگامی حقیقی است که دیدگان با مسلح شدن به نوعی وسیله اپتیک مثلاً جام جمشید افسانه ای بتواند با انتخاب شخصی و بدون هیچ وسیله کمکی دیگر شیئی را از دور رویت و آن را در نظر بگیرد. سیستمهای رادار که در آنها از انعکاس امواج میلیمتری متمرکز تصویر نقاط دور به وجود می آید می توانند به عنوان یک نوع تقرب نسبی به جام جادویی تلویزیون واقعی در نظر گرفته شوند.
آنچه که ما در اینجا بدان خواهیم پرداخت آن نوع از تکنیک انتقال تصاویر است که پس از مدت بیش از سی سال زمان تکامل امروزه میدان صنعتی وسیعی را به خود اختصاص داده است . این تکنیک که به نحو فوق العاده ای پیشرفت کرده است ولی تکامل آن را هنوز پایان نیافته است دستگاههایی را به وجود آورده است که با آنها گرچه افسانه جام جمشید به حقیقت نپوسته است ولی اهمیت آنها از نقطه نظر کوشش انسان برای از میان بردن حدود
فضائی حس بینائی به هیچ وجه کمتر نیست. ما در روی صفحه تصویر یک گیرنده تلویزیون می‌توانیم فقط آن چیزی را از دور ببینیم که در آن محل از دوربین تلویزیون گرفته شده توسط فرستنده و گیرنده با شرایطی که برای واضح بودن تصویر قائل می شویم و نیز توسط حدود طبیعی انتشار امواج ااکترومغناطیسی تعیین می شود. با استفاده از تقویت کننده های مدرن با حداقل نویز- تقویت کننده های پارامتری و Maser- و به کمک ماهواره ها از این حدود تقریباً از میان رفته اند و میدان عمل تلویزیون به نحو غیر قابل تصوری وسعت گرفته است.

مقایسه زمانی تجزیه تصویر
1. میدان تصویر تلویزیون یک ((میدان)) یا ((مجموعه)) ای از سطرهای (افقی) تصویر است که مجاور هم قرار گرفته اند و یک نوع ((رده های سطر)) بوجود می آورند. بنا به تجسم اولیه در مورد ساختمان موزائیکی تصویر که هر سطر از المانهای کوچکی با سطع معینی تشکیل می شوند باید هر سطر را مجموعه ای از نقاط با روشنایی مختص به خود حساب آورد. ولی واقعیت این است که نه تنها در طول خطوط سطرها بلکه در امتداد عمود بر آن هم تغییرات روشنایی تصویر و همراه با آن تغییرات دامنة سیگنال الکتریکی حامل آن بطور پیوسته اسن و هیچگونه جهشی از یک نقطه به نقطه دیگر یا از یک سطر به سطر دیگر صورت نمی گیرد. بنابراین تجسم موازئیک مانند تصویر گرچه یک وسیله کمکی است ولی بر خلاف واقعیت فیزیکی است. در آینده این مطلب را دقیق تر مورد مطالعه قرار خواهیم داد.
برای مطالعات بعدی لازم است سطرهای تصویر را از بالا به پایین با 1و2و3و...K شماره گذاری کنیم.
2. تجزیه تصویر در مقایس زمان فرکانسهای کاملاً متفاوت زیر را بدست می دهد:
الف: فرکانس سطرها و یا فرکانس افقی Fz عبارت است از تعداد سطرهایی که در یک ثانیه نوشته می شوند.
ب: فرکانس میدان تصویر م یا فرکانس عمودی Ff که عددی است مشخص تعداد میدانهای سطرها که در یک ثانیه نوشته می شوند.وقتی کلیه سطرهای یک تصویر هنگام تجزیه از شماره 1 تا k (آخرین سطر) پشت سر هم نوشته شوند فرکانس میدان تصویر Ff و فرکانس تصویر Fb مساویند. فرکانس تصویر Fb تعداد تصاویر کاملی را که در یک ثانیه نوشته می شوند مشخص می کند. در طریقه معمول امروزی به نام ((روش بین هم قرار دادن سطرها)) و یا Interlaced Scanning برای از بین بردن اثر چشمک زدن میدان دید در دو میدان شامل سطرهای با شماره های فرد(1و3و5...1-k) و دیگری از سطرهای با شماره های جفت تشکیل می گردد. میدانهای سطر با فرکانس میدان تصویر Ff نوشته می شوند و از هر دو میدان سطر یک میدان کامل تصویر بوجود می آید. این دو میدان بین هم قرار می گیرند و فرکانس تصویر Fb نصف Ff می باشد. در محل گیرنده در اثر کندی کار چشم اینطور احساس می شود که عملاً در هر ثانیه به اندازه Ff تصویر کامل نوشته می شود در سیستم اروپایی Hz25=Fb و از این رو 50=Ff می باشد.

تعداد مشاهده: 602 مشاهده

فرمت فایل دانلودی:

فرمت فایل اصلی: doc

تعداد صفحات: 81

حجم فایل:73 کیلوبایت

 قیمت: 12,000 تومان
پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود.   پرداخت و دریافت فایل
  • محتوای فایل دانلودی:
    حاوی فایل ورد قابل ویرایش

تحقیق ترانزیستور اثر میدانی FET

تحقیق ترانزیستور اثر میدانی FET


فصل اول
مشخصات JFET
1ـ1 مقدمه
ترانزیستور اثر میدانی (یا به اختصار FET) قطعه‌ای سه پایانه است که در موارد بسیاری بکار می‌رود و در مقیاس وسیعی با ترانزیستور BJT رقابت می‌کند. اگرچه اختلافات مهمی بین این دو نوع قطعه وجود دارد اما تشابه بسیاری نیز بین آنها وجود دارد که در بخشهای بعد به آن اشاره خواهد شد.
اختلاف نخست بین او دو نوع ترانزیستور در آن است که ترانزیستور BJT همانگونه که در شکل (الف 1ـ1) نشان داده شد یک قطعه کنترل جریان است، در حالیکه ترانزیستور JFET همانگونه که در شکل (ب 1ـ1) دیده می‌شود یک قطعه کنترل ولتاژ است. به بیان دیگر، جریان IC در شکل (الف 1ـ1) تابع مستقیم مقدار IB است. در FET جریان I تابعی از ولتاژ VGS است که مطابق شکل (ب 1ـ1) به ورودی مدار اعمال می‌شود. در هر حالت جریان مدار خروجی با یک پارامتر ورودی کنترل می‌شود. در یک حالت بوسیله جریان و در دیگری بوسیله ولتاژ اعمال شده.

درست مانند ترانزیستورهای npn و pnp قطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی نیز از دو نوع کانال n و کانال p هستند. از اینرو، مهم است به خاطر داشته باشید که ترانزیستور BJT یک قطعه دو قطبی (bipolar) است. یعنی میزان هدایت در آن تابع دو نوع حامل است: الکترونها و حفره‌ها. FET قطعه‌ای تک‌قطبی است که فقط به هدایت اکلترون در (کانال n) و یا حفره (کانال p) وابسته است.
عبارت «اثر میدانی در نام این ترانزیستور با خود توضیحاتی را بهمراه دارد. ما همه با توانایی یک مغناطیس دائمی آشنا هستیم که براده‌های فلزی را بدون تماس واقعی به سوی خود می‌کشد. میدان مغناطیسی یک مغناطیس دائمی براده‌های آهن را در امتداد خطوط شار مغناطیسی جذب می‌کند. در FET، بوسیله بارهای آن میدان الکتریکی بوجود می‌آید که مسیر هدایت جریان خروجی را کنترل می‌کند بدون تماس مستقیم بین کنترل کننده و کمیتهای کنترل شونده.
این تمایل طبیعی است که دومین قطعه را با تعدادی از کاربردهای مشابه قطعه اول معرفی کرده و برخی مشخصه‌های آن را با هم مقایسه کنیم. یکی از مهمترین شاخصه‌ای FET، امپدانس ورودی زیاد آن است. مقاومت ورودی آن در اندازه‌های 1 تا چند صد مگااهم از مقاومت ورودی ترانزیستور BJT بیشتر می‌شود. و این شاخصه‌ای است که در طراحی سیستمهای تقویت ac خطی بسیار مهم است. به به عبارت دیگر، با ولتاژ اعمال شده یکسان تغییر در جریان خروجی معمولاً برای BJT بیشتر از FETها است. به همین دلیل، معمولاً بهره ولتاژ ac تقویت کننده‌های BJT خیلی بیشتر از FETهاست. بطور کلی، FETها در مقابل حرارت با ثبات‌تر از BJTها هستند. FETها معمولاً از نظر ساختمان از BJTها کوچکترند و این امر بطور ویژه کاربردشان را در تراشه‌های مدار مجتمع (آی‌سی) کارآمد می‌سازد. مشخصه‌های ساختمان برخی FETها در بکارگیری آنها بسیار موثر است.

تعداد مشاهده: 896 مشاهده

فرمت فایل دانلودی:

فرمت فایل اصلی: doc

تعداد صفحات: 85

حجم فایل:1,224 کیلوبایت

 قیمت: 12,000 تومان
پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود.   پرداخت و دریافت فایل
  • محتوای فایل دانلودی:
    حاوی فایل ورد قابل ویرایش

تحقیق مختصات و قابلیت دستگاه سانترال (مرکز تلفن )

تحقیق مختصات و قابلیت دستگاه سانترال (مرکز تلفن )


واژه سانترال در واقع همان کلمه central به معنای مرکز یا مرکزی است که در فارسی به غلط اینگونه تلفظ می شود. همان گونه که از نام اینگونه دستگاهها پیداست . این دستگاهها نوعی مرکزیت به خطوط پراکنده تلفن که در یک سازمان موجود است را می دهد . همچنین راهبری تمامی خطوط را به عهده می گیرد ؛ تا تمامی تماس ها به طور منظم انجام شود.
این دستگاهها پله پله راه ترقی را طی نموده ته به چنین وضعیتی رسیده اند و انواع مختلف را دارند. این دستگاهها بنا به نوع گستردگی از سه شماره به چهار شماره هستند.
قابلیت دستگاه :
1- قابلیت توسعه
2- قابلیت گویا کردن
3- قابلیت چاپ ریز شماره ها و رویت آنها
4- قابلیت لینک کردن
1- این دستگاه از قابلیت توسعه برخوردار است یعنی اینکه هرگاه سازمان دارای دوایر و اتاق های بیشتری شده و نیاز به خط تلفن داشت ؛ می توان ان را توسعه داد . که چننچه تعداد کارت های موجود در یک کنسول افزایش یافت میتوان حتی یک کنسول به ان اضافه کرد که حداکثرِ کنسول برای توسعه یک مرکز تلفن ، سه کنسول است .
نمونه یک دستگاه دو کنسول
2- با اضافه کردن یک کارت دیزا به این دستگاه می توان کلیه خطوط را به صورت گویا در آورد ؛ یعنی اینکه به محض تماس از بیرون ، یک اپراتور به طور خودکار متقاضیان (دانشجویان ) را راهنمایی می کند تا با واحد مربوطه تماس حاصل نمایند .

نمونه یک کارت دیزا
3- با نصب کردن نرم افزار بلینک بر روی این دستگاه می توان تمامی تماس های بین خطوط درون سازمان و همچنین به خارج از سازمان را مشاهده نمود و همچنین در صورت لزوم ذخیره و یا به صورت ریز سیاهه آن را چاپ کرد. این نرم افزار بیشتر جهت کنترل تماس ها مورد استفاده قرار می گیرد تا حجم تماسها اندازه گیری شده و به طور مثال به واحد پر کار، خط دیگری واگذار شود.
4- این قابلیت که بهترین و مهمترین قابلیت این دستگاه نیز می باشد به شرح زیر می باشد :
یک لینک E1 PRI از مخابرات خریداری خواهد شد و به دستگاه وصل خواهد شد. پس از ان یک کارت PRI بر روی دستگاه نصب خواهد شد . این کارت یک خطِ PRI راکه از مخابرات آمده را به ده برابر افزایش خواهد داد . بدین ترتیب اگر 30 خط به یک سازمان واگذار شود با کمک این کارت و دستگاه به 300 خط افزایش خواهد یافت که این در نوع کم نظیر است ؛ واگذاری 300 خط مستقیم به دوایر در حالی که ظرفیت واقعی 30 خط است بسیاری از مشکلات یک ارگان را حل خواهد کرد. البته شایان ذکر است که این کار هزینه بسیار بالایی خواهد داشت ولی این موضوع را هم باید در نظر داشت که هیچگاه شرکت مخابرات به یک سازمان دولتی 300 خط را واگذار نخواهد کرد.
نمونه یک کارت PRI
معایب و محاسن پروژه
مراکز تلفن به گونه ای هستند که درون خود سیستم های پیچیده ای جای داده اند در واقع تقسیم کردن خطوط خود نشان از تکنولوژی اینگونه دستگاههااست . همین تکنولوژی پیچیده و سیستم بالای این دستگاه نشان از اشغال کردن جای بسیار زیاد برای اینگونه دستگاهها هستند . نوع ایرانی این دستگاه ها همین گونه است یک جعبه فلزی با طول و عرض 2 در 1 متر و وزن بسیار زیاد و ایجاد صداهای خسته کننده و همچنین یک منبع تغذیه مشابه و وزن در حدود 200 کیلو که مکان بسیار زیادی را اشغال می کنند . اما در نوع خارجی و از مارک پاناسونیک این حجم از دستگاه به یک جعبه پلاستیکی حداکثر 10 کیلویی که طول و عرض آن 40 در 30 سانتیمتر است ، تبدیل می شود و همچنین منیع تغذیه آن یک باطری کوچک خودرو یا یک UPS کوچک خواهد بود .

تعداد مشاهده: 516 مشاهده

فرمت فایل دانلودی:

فرمت فایل اصلی: doc

تعداد صفحات: 62

حجم فایل:886 کیلوبایت

 قیمت: 10,000 تومان
پس از پرداخت، لینک دانلود فایل برای شما نشان داده می شود.   پرداخت و دریافت فایل
  • محتوای فایل دانلودی:
    حاوی فایل ورد قابل ویرایش